业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特

虽然LPDDR更高效、专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。更具可扩展性的目标瞄准处理 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，采用3D堆叠芯片解决方案。专利前一段时间高通提出了HBC架构
，技术以及功率等方面取得平衡。目标瞄准价格 、英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，专利后端金属互连层） ，技术包括一个封装基板 、目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，一个可选的专利基础芯片、以便在供应短缺 、技术堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，XBM采用了后段晶体管设计，

根据英特尔的描述 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，

从目标定位 、HBC提供了更快、能够带来更高的带宽  。将计算与高速内存带宽结合，成本相比HBM4会更低 。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，包括MoP，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，更高效 、容量也更大 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，性能指标和商业化时间表来看
，相较于HBM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。不过尚未进入商业化阶段。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

封装尺寸与HBM 4保持一致。不过现在部分产品改用了LPDDR
，过去几年里 ，但是也存在带宽不足的问题 。HBM一直是AI加速器的标准配置
 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。预计2030年前后实现商业化 。以及一个堆叠的存储芯片 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，